デバイスモデリングサービス
半導体部品
ショットキ・バリア・ダイオード
お客様のシミュレーション用途に必要なショットキ・バリア・ダイオードのデバイスモデリングを行います。スパイスモデルは
2種類あります。それぞれに特徴があります。逆方向特性(ショットキ・バリア・ダイオードは、逆方向電流が大きいという特徴
があります)をどのような表現にするかによって、スパイスモデルの種類が決まります。また、シリコン半導体だけではなく、
SiCショットキ・バリア・ダイオードのデバイスモデリングもご提供しております。デバイスモデリングに必要な電気的特性図
がある場合はそのデータを採用致します。また、お客様に測定環境が無い場合、サンプルをご提供して頂ければ測定し、
モデリングを行います。先ずは、お問い合わせ下さい。
ショットキ・バリア・ダイオードのスパイスモデル
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評価用スパイスモデル
評価用のショットキ・バリア・ダイオードのスパイスモデルは、スパイス・パークの一般会員サイトにてご提供しております。
技術情報
発行年月日 | タイトル | 種別 |
2012年06月01日 | 内部パラメータのモンテカルロシミュレーション | LTspice |
2010年04月25日 | SiC SBDのスパイスモデルのリスト | PSpice |
2010年03月21日 | SiC SBDにおける損失シミュレーション | PSpice,LTspice |
2010年12月04日 |
SiCショットキバリアダイオードのスパイスモデル |
PSpice,LTspice |
2010年11月04日 | SiCSBDのスパイスモデルとPFCシミュレーション | PSpice,LTspice |
2007年03月12日 | パワーデバイスのデバイスモデリング | PSpice,LTspice |
2004年03月18日 | ショットキバリアダイオードのスタンダードモデル | PSpice,LTspice |
FAQ(Frequently Asked Questions)
発行年月日 | タイトル |
2011年06月16日 | モデルパラメータTTの数値に関する質問及び回答 |
2011年06月15日 | モデルパラメータEGの数値に関する質問及び回答 |
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