パワー半導体の基礎であるIGBTに関するデバイスモデリングの教材です。また、IGBTのモデリング、
モデルの評価方法、インバータ回路シミュレーションの事例が掲載されています。IGBTモデルのご理解
に是非、ご活用下さい。教材CD-Rの中にパワー・ポイント(334枚)のファイル、東芝セミコンダクター社
「GT10J321」IGBTのモデル、評価回路シミュレーション、インバータ回路シミュレーションデータが格納
してあります。

序論

デバイスモデリング
【IGBT】
1.1 AREA,TAU,WBの抽出方法
1.2 KP,VTの抽出方法
1.3 KFの抽出方法
1.4 CGS,COXD,AGDの抽出方法
1.5 飽和特性の補正等価回路
【FWD】
1.6 IS,N,RS,IKFの抽出方法
1.7 CJO,M,VJ
1.8 TT(trj)の抽出方法
1.9 サブサーキットの記述方法
1.10 IGBTデバイスモデリングの最新研究報告

2. IGBTモデルの評価方法
2.1 Transfer特性の評価解析シミュレーション
2.2 飽和特性の評価解析シミュレーション
2.3 ゲート・チャージ特性の評価解析シミュレーション
2.4 スイッチング特性(tf)の評価解析シミュレーション

3. PSpiceシミュレーション　
【インバータ回路】

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